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DMNH6021SPDQ-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMNH6021SPDQ-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
渠道:
digikey

库存 :16845

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 19.013386 19.01
10 15.745072 157.45
100 12.531438 1253.14
500 10.603255 5301.63
1000 8.996812 8996.81

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 8.2 A

漏源电阻 15 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 20.1 nC

耗散功率 2.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 5.4 ns, 5.4 ns

上升时间 6 ns, 6 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 14.2 ns, 14.2 ns

典型接通延迟时间 4.4 ns, 4.4 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 116 mg

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DMNH6021SPDQ-13

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型号:DMNH6021SPDQ-13

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:16845 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥19.013386
10+: ¥15.745072
100+: ¥12.531438
500+: ¥10.603255
1000+: ¥8.996812

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