货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥19.013386 | ¥19.01 |
10 | ¥15.745072 | ¥157.45 |
100 | ¥12.531438 | ¥1253.14 |
500 | ¥10.603255 | ¥5301.63 |
1000 | ¥8.996812 | ¥8996.81 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8.2 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.1 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.4 ns, 5.4 ns
上升时间 6 ns, 6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.2 ns, 14.2 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns, 4.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 116 mg
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0DMNH6021SPDQ-13
型号:DMNH6021SPDQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.013386 |
10+: | ¥15.745072 |
100+: | ¥12.531438 |
500+: | ¥10.603255 |
1000+: | ¥8.996812 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.01