
货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥7.23258 | ¥18081.45 |
| 5000 | ¥6.88826 | ¥34441.30 |
| 12500 | ¥6.57035 | ¥82129.38 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1 A, 850 mA
漏源电阻 700 mOhms, 1.45 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 2.9 nC, 3.5 nC
耗散功率 870 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 2.1 ns, 3.3 ns
正向跨导(Min) 1.6 S, 1.2 S
上升时间 1.5 ns, 2.1 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 4.1 ns, 5.9 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns, 1.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMHC10A07N8TC
型号:ZXMHC10A07N8TC
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥7.23258 |
| 5000+: | ¥6.88826 |
| 12500+: | ¥6.57035 |
货期:7-10天
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