EFC2K101NUZTDG
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥3.356898 | ￥16784.49 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 40 us
上升时间 19 us
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 53 us
典型接通延迟时间 5 us
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
EFC2K101NUZTDG 相关产品
EFC2K101NUZTDG 同类别型号
注
EFC2K101NUZTDG
型号：EFC2K101NUZTDG
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥3.356898 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00