货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.628322 | ¥3.63 |
200 | ¥1.404238 | ¥280.85 |
500 | ¥1.354842 | ¥677.42 |
1000 | ¥1.330505 | ¥1330.51 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 40 us
上升时间 19 us
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 53 us
典型接通延迟时间 5 us
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0EFC2K101NUZTDG
型号:EFC2K101NUZTDG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.628322 |
200+: | ¥1.404238 |
500+: | ¥1.354842 |
1000+: | ¥1.330505 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.63