货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥3.301132 | ¥9903.40 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8.5 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.2 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 1.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.6 ns
典型接通延迟时间 0.85 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7900AEDN-GE3
单位重量 1 g
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0SI7900AEDN-T1-GE3
型号:SI7900AEDN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥3.301132 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00