SI4900DY-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI4900DY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.558916 | ￥18.56 |
| 10 | ￥16.547185 | ￥165.47 |
| 100 | ￥12.903403 | ￥1290.34 |
| 500 | ￥10.659335 | ￥5329.67 |
| 1000 | ￥8.415263 | ￥8415.26 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4900DY-GE3
单位重量 750 mg
SI4900DY-T1-GE3 同类别型号
注
SI4900DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI4900DY-T1-GE3
数据手册PDF。
SI4900DY-T1-GE3
型号：SI4900DY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.558916 |
| 10+： | ￥16.547185 |
| 100+： | ￥12.903403 |
| 500+： | ￥10.659335 |
| 1000+： | ￥8.415263 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.56