STS10DN3LH5
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起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥4.305467 | ￥10763.67 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STS10DN3LH5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
STripFET™ V
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
21mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
4.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
475pF @ 25V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
STS10DN3LH5 同类别型号
注
STS10DN3LH5品牌厂家：ST
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
STS10DN3LH5
型号：STS10DN3LH5
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥4.305467 |
货期：1-2天
+ -
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