ECH8655R-TL-H
库存 ：1350
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.429623 | ￥10.43 |
| 10 | ￥9.015195 | ￥90.15 |
| 100 | ￥6.236344 | ￥623.63 |
| 500 | ￥5.211383 | ￥2605.69 |
| 1000 | ￥4.435162 | ￥4435.16 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 16.8 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 19.450 mg
ECH8655R-TL-H 同类别型号
注
ECH8655R-TL-H品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ECH8655R-TL-H
数据手册PDF。
ECH8655R-TL-H
型号：ECH8655R-TL-H
品牌：ON
供货：锐单
库存：1350 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.429623 |
| 10+： | ￥9.015195 |
| 100+： | ￥6.236344 |
| 500+： | ￥5.211383 |
| 1000+： | ￥4.435162 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.43