FDC6302P
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.041312 | ￥3123.94 |
| 6000 | ￥0.94054 | ￥5643.24 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDC6302P
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
120mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
10Ohm @ 200mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
0.31nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
11pF @ 10V
功率 - 最大值
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装
SuperSOT™-6
FDC6302P 同类别型号
注
FDC6302P品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDC6302P
数据手册PDF。
FDC6302P
型号：FDC6302P
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.041312 |
| 6000+： | ￥0.94054 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00