SI5902BDC-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI5902BDC-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥3.665843 | ￥10997.53 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 3.12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 25 ns
正向跨导（Min） 5 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 85 mg
SI5902BDC-T1-GE3 同类别型号
注
SI5902BDC-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI5902BDC-T1-GE3
数据手册PDF。
SI5902BDC-T1-GE3
型号：SI5902BDC-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥3.665843 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00