SI5902BDC-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI5902BDC-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：20817
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.051311 | ￥17.05 |
| 10 | ￥15.234976 | ￥152.35 |
| 100 | ￥11.87908 | ￥1187.91 |
| 500 | ￥9.813152 | ￥4906.58 |
| 1000 | ￥7.747225 | ￥7747.23 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 3.12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 25 ns
正向跨导（Min） 5 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 85 mg
SI5902BDC-T1-GE3 同类别型号
注
SI5902BDC-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SI5902BDC-T1-GE3、查询SI5902BDC-T1-GE3代理商；
SI5902BDC-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI5902BDC-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI5902BDC-T1-GE3
替代型号
、SI5902BDC-T1-GE3
数据手册PDF。
SI5902BDC-T1-GE3
型号：SI5902BDC-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：20817 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.051311 |
| 10+： | ￥15.234976 |
| 100+： | ￥11.87908 |
| 500+： | ￥9.813152 |
| 1000+： | ￥7.747225 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.05