DMT3020LSDQ-13
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMT3020LSDQ-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 8V~24V SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：5000
货期：（7~10天）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥3.071854 | ￥7679.64 |
| 5000 | ￥2.77463 | ￥13873.15 |
| 12500 | ￥2.576431 | ￥32205.39 |
| 25000 | ￥2.51693 | ￥62923.25 |
| 62500 | ￥2.437594 | ￥152349.63 |
| 125000 | ￥2.378234 | ￥297279.25 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.4 ns
上升时间 1.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.5 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
DMT3020LSDQ-13 同类别型号
注
DMT3020LSDQ-13
型号：DMT3020LSDQ-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：5000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥3.071854 |
| 5000+： | ￥2.77463 |
| 12500+： | ￥2.576431 |
| 25000+： | ￥2.51693 |
| 62500+： | ￥2.437594 |
| 125000+： | ￥2.378234 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00