DMT3020LSDQ-13
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- 制造商编号：
- DMT3020LSDQ-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 8V~24V SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：5000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.64194 | ￥8.64 |
| 10 | ￥7.437734 | ￥74.38 |
| 25 | ￥6.936219 | ￥173.41 |
| 100 | ￥5.152579 | ￥515.26 |
| 250 | ￥4.895021 | ￥1223.76 |
| 500 | ￥4.023176 | ￥2011.59 |
| 1000 | ￥3.270054 | ￥3270.05 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.4 ns
上升时间 1.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.5 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
DMT3020LSDQ-13 同类别型号
注
DMT3020LSDQ-13
型号：DMT3020LSDQ-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：5000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.64194 |
| 10+： | ￥7.437734 |
| 25+： | ￥6.936219 |
| 100+： | ￥5.152579 |
| 250+： | ￥4.895021 |
| 500+： | ￥4.023176 |
| 1000+： | ￥3.270054 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥8.64