SH8K52GZETB
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.903266 | ￥14.90 |
| 10 | ￥13.333907 | ￥133.34 |
| 100 | ￥10.397286 | ￥1039.73 |
| 500 | ￥8.58925 | ￥4294.63 |
| 1000 | ￥6.780985 | ￥6780.99 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8K52
单位重量 83 mg
SH8K52GZETB 同类别型号
注
SH8K52GZETB
型号：SH8K52GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.903266 |
| 10+： | ￥13.333907 |
| 100+： | ￥10.397286 |
| 500+： | ￥8.58925 |
| 1000+： | ￥6.780985 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.90