SH8KA1GZETB
库存 ：2500
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.402096 | ￥8.40 |
| 10 | ￥7.339478 | ￥73.39 |
| 25 | ￥6.894661 | ￥172.37 |
| 100 | ￥5.00419 | ￥500.42 |
| 250 | ￥4.826263 | ￥1206.57 |
| 500 | ￥4.181279 | ￥2090.64 |
| 1000 | ￥3.558535 | ￥3558.53 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
上升时间 7.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8KA1GZETB 同类别型号
注
SH8KA1GZETB
型号：SH8KA1GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.402096 |
| 10+： | ￥7.339478 |
| 25+： | ￥6.894661 |
| 100+： | ￥5.00419 |
| 250+： | ￥4.826263 |
| 500+： | ￥4.181279 |
| 1000+： | ￥3.558535 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.40