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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.716841 | ¥5.72 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 30 mA
漏源击穿电压 12.5 V
工作频率 800 MHz
配置 Dual
耗散功率 150 mW
增益 22.5 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Small Signal MOSFET
单位重量 13 mg
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03SK291(TE85L,F)
型号:3SK291(TE85L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.716841 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.72