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制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 7.5 mOhms, 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V, 2.5 V
栅极电荷 30 nC, 85 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 7 ns
正向跨导(Min) 35 S, 30 S
上升时间 4 ns, 6 ns
典型关闭延迟时间 21 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SQJ504EP-T1_GE3
型号:SQJ504EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
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