SH8M41GZETB
库存 ：2477
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥31.055288 | ￥31.06 |
| 10 | ￥19.795834 | ￥197.96 |
| 100 | ￥13.384371 | ￥1338.44 |
| 500 | ￥10.635901 | ￥5317.95 |
| 1000 | ￥9.751972 | ￥9751.97 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 3.4 A, 2.6 A
漏源电阻 90 mOhms, 165 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 9.2 nC, 11.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns, 20 ns
上升时间 15 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns, 60 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8M41
单位重量 83 mg
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注
SH8M41GZETB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
SH8M41GZETB
型号：SH8M41GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2477 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥31.055288 |
| 10+： | ￥19.795834 |
| 100+： | ￥13.384371 |
| 500+： | ￥10.635901 |
| 1000+： | ￥9.751972 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥31.06