货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 1 A
漏源击穿电压 7.5 V
工作频率 470 MHz
配置 Single
耗散功率 3 W
栅极电压 3 V
栅源极阈值电压 0.95 V
增益 12 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
单位重量 50 mg
购物车
02SK3756(TE12L,F)
型号:2SK3756(TE12L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00