SQS944ENW-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQS944ENW-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 40V
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥4.851676 | ￥14555.03 |
| 6000 | ￥4.366579 | ￥26199.47 |
| 15000 | ￥4.043133 | ￥60647.00 |
| 30000 | ￥3.978388 | ￥119351.64 |
| 75000 | ￥3.88134 | ￥291100.50 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 760 pC
耗散功率 27.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 2.5 S
上升时间 2.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 7.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SQS944ENW-T1_GE3 同类别型号
注
SQS944ENW-T1_GE3
型号：SQS944ENW-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥4.851676 |
| 6000+： | ￥4.366579 |
| 15000+： | ￥4.043133 |
| 30000+： | ￥3.978388 |
| 75000+： | ￥3.88134 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00