ALD111933MAL
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| 数量 | 价格 | 总计 |
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规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10 V
漏极电流 6.9 mA
漏源电阻 500 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
耗散功率 500 mW
通道模式 Depletion
配置 Dual
正向跨导（Min） 0.0014 S
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 140 mg
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注
ALD111933MAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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ALD111933MAL
型号：ALD111933MAL
品牌：ALD
供货：锐单
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