货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥8.422436 | ¥8422.44 |
2000 | ¥7.841546 | ¥15683.09 |
5000 | ¥7.551143 | ¥37755.71 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 1 A
漏源击穿电压 20 V
工作频率 520 MHz
输出功率 1.2 W
配置 Single
耗散功率 3 W
栅极电压 10 V
栅源极阈值电压 1.1 V
增益 10.8 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
单位重量 50 mg
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0RFM01U7P(TE12L,F)
型号:RFM01U7P(TE12L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥8.422436 |
2000+: | ¥7.841546 |
5000+: | ¥7.551143 |
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