货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥3.650359 | ¥10951.08 |
6000 | ¥3.476526 | ¥20859.16 |
9000 | ¥3.316075 | ¥29844.67 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 4.5 A, 2.5 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.6 nC, 9.5 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns, 10 ns
上升时间 2.9 ns, 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 14.8 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns, 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QH8M22
单位重量 10 mg
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0QH8M22TCR
型号:QH8M22TCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥3.650359 |
6000+: | ¥3.476526 |
9000+: | ¥3.316075 |
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