ALD1108EPCL
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| 数量 | 价格 | 总计 |
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
ALD1108EPCL
制造商
ALD
商品描述
MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
包装
Tube
系列
EPAD®
零件状态
Active
FET 类型
4 N-Channel, Matched Pair
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
10V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
500Ohm @ 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.01V @ 1µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
25pF @ 5V
功率 - 最大值
600mW
工作温度
0°C ~ 70°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
16-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商器件封装
16-PDIP
ALD1108EPCL 同类别型号
注
ALD1108EPCL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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ALD1108EPCL
型号：ALD1108EPCL
品牌：ALD
供货：锐单
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