IPG20N06S4L14AATMA1
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IPG20N06S4L14AATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥2.799778 | ￥13998.89 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 13.7 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N06S4L-14A SP001023846
IPG20N06S4L14AATMA1 同类别型号
注
IPG20N06S4L14AATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、IPG20N06S4L14AATMA1
数据手册PDF
。
IPG20N06S4L14AATMA1
型号：IPG20N06S4L14AATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥2.799778 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00