QH8M22TCR
库存 ：18281
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.292711 | ￥15.29 |
| 10 | ￥12.482831 | ￥124.83 |
| 100 | ￥9.704034 | ￥970.40 |
| 500 | ￥8.225737 | ￥4112.87 |
| 1000 | ￥6.700694 | ￥6700.69 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 4.5 A, 2.5 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.6 nC, 9.5 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns, 10 ns
上升时间 2.9 ns, 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 14.8 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns, 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QH8M22
单位重量 10 mg
QH8M22TCR 同类别型号
注
QH8M22TCR
型号：QH8M22TCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：18281 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.292711 |
| 10+： | ￥12.482831 |
| 100+： | ￥9.704034 |
| 500+： | ￥8.225737 |
| 1000+： | ￥6.700694 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.29