ALD1115MAL
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.8 mA
漏源电阻 500 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导（Min） 0.0018 S, 0.00067 S
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 140 mg
ALD1115MAL 同类别型号
注
ALD1115MAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
ALD1115MAL
型号：ALD1115MAL
品牌：ALD
供货：锐单
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