SQS966ENW-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQS966ENW-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 60V
- 渠道：
- digikey
库存 ：3025
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.183717 | ￥12.18 |
| 10 | ￥10.908677 | ￥109.09 |
| 25 | ￥10.353327 | ￥258.83 |
| 100 | ￥7.764995 | ￥776.50 |
| 250 | ￥7.691042 | ￥1922.76 |
| 500 | ￥6.581757 | ￥3290.88 |
| 1000 | ￥5.361544 | ￥5361.54 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 27.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.8 ns
正向跨导（Min） 2.8 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 7.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SQS966ENW-T1_GE3 同类别型号
注
SQS966ENW-T1_GE3
型号：SQS966ENW-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：3025 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.183717 |
| 10+： | ￥10.908677 |
| 25+： | ￥10.353327 |
| 100+： | ￥7.764995 |
| 250+： | ￥7.691042 |
| 500+： | ￥6.581757 |
| 1000+： | ￥5.361544 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.18