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制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 27.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.8 ns
正向跨导(Min) 2.8 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 7.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SQS966ENW-T1_GE3
型号:SQS966ENW-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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