IPG20N10S436AATMA1
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- 制造商编号：
- IPG20N10S436AATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥3.3458 | ￥16729.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 31 mOhms, 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 9.4 nC
耗散功率 43 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns
正向跨导（Min） -
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 3 ns
典型接通延迟时间 1 ns
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N10S4-36A SP001102930
单位重量 99.430 mg
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注
IPG20N10S436AATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、IPG20N10S436AATMA1
数据手册PDF
。
IPG20N10S436AATMA1
型号：IPG20N10S436AATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥3.3458 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00