SQJ262EP-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQJ262EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- 渠道：
- digikey
库存 ：2860
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.158811 | ￥15.16 |
| 10 | ￥13.543761 | ￥135.44 |
| 25 | ￥12.852406 | ￥321.31 |
| 100 | ￥9.639304 | ￥963.93 |
| 250 | ￥9.547502 | ￥2386.88 |
| 500 | ￥8.170458 | ￥4085.23 |
| 1000 | ￥6.65571 | ￥6655.71 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 15 A, 40 A
漏源电阻 29.5 mOhms, 12.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.5 nC, 14.5 nC
耗散功率 27 W, 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns , 23 ns
典型接通延迟时间 9 ns , 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ262EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ262EP-T1_GE3
型号：SQJ262EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2860 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.158811 |
| 10+： | ￥13.543761 |
| 25+： | ￥12.852406 |
| 100+： | ￥9.639304 |
| 250+： | ￥9.547502 |
| 500+： | ￥8.170458 |
| 1000+： | ￥6.65571 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.16