货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.367539 | ¥11.37 |
10 | ¥10.144292 | ¥101.44 |
100 | ¥7.90909 | ¥790.91 |
500 | ¥6.53337 | ¥3266.68 |
1000 | ¥5.158021 | ¥5158.02 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A, 6 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7.2 nC, 10 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.7 ns, 20 ns
上升时间 8 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 40 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns, 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
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0SH8MA3TB1
型号:SH8MA3TB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.367539 |
10+: | ¥10.144292 |
100+: | ¥7.90909 |
500+: | ¥6.53337 |
1000+: | ¥5.158021 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.37