CSD87501LT
库存 ：2500
货期：（7~10天）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥8.86376 | ￥2215.94 |
| 500 | ￥8.500582 | ￥4250.29 |
| 750 | ￥8.318535 | ￥6238.90 |
| 1250 | ￥8.11721 | ￥10146.51 |
| 1750 | ￥7.999414 | ￥13998.97 |
| 2500 | ￥7.886054 | ￥19715.13 |
| 6250 | ￥7.642202 | ￥47763.76 |
| 12500 | ￥7.495188 | ￥93689.85 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 4.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 712 ns
上升时间 260 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 709 ns
典型接通延迟时间 164 ns
外形参数
高度 0.2 mm
长度 3.37 mm
宽度 1.47 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3.100 mg
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注
CSD87501LT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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、CSD87501LT
数据手册PDF
。
CSD87501LT
型号：CSD87501LT
品牌：TI
供货：锐单
库存：2500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥8.86376 |
| 500+： | ￥8.500582 |
| 750+： | ￥8.318535 |
| 1250+： | ￥8.11721 |
| 1750+： | ￥7.999414 |
| 2500+： | ￥7.886054 |
| 6250+： | ￥7.642202 |
| 12500+： | ￥7.495188 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00