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ZXMC3A16DN8TA

DIODES(美台)
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制造商编号:
ZXMC3A16DN8TA
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
500 6.286677 3143.34

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 6.4 A

漏源电阻 35 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 17.5 nC

耗散功率 2.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 9.4 ns

上升时间 6.4 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 21.6 ns

典型接通延迟时间 3 ns

外形参数

高度 1.5 mm

长度 5 mm

宽度 4 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 750 mg

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ZXMC3A16DN8TA

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型号:ZXMC3A16DN8TA

品牌:DIODES

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