货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥17.28288 | ¥17.28 |
10 | ¥15.400704 | ¥154.01 |
100 | ¥12.006866 | ¥1200.69 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.4 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17.5 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.4 ns
上升时间 6.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 21.6 ns
典型接通延迟时间 3 ns
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 750 mg
购物车
0ZXMC3A16DN8TA
型号:ZXMC3A16DN8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.28288 |
10+: | ¥15.400704 |
100+: | ¥12.006866 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.28