QH8K26TR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 7 A

漏源电阻 38 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 2.9 nC

耗散功率 2.6 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 3 ns

上升时间 18 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 20 ns

典型接通延迟时间 8 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 QH8K26

单位重量 10 mg