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数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥5.560936 | ¥5560.94 |
2000 | ¥5.481494 | ¥10962.99 |
5000 | ¥5.084285 | ¥25421.43 |
10000 | ¥4.885716 | ¥48857.16 |
25000 | ¥4.766517 | ¥119162.93 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.8 A, 1.5 A
漏源电阻 300 mOhms, 425 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC, 5.1 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 2 ns, 5.8 ns
正向跨导(Min) 2.3 S, 1.8 S
上升时间 1.4 ns, 2.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 4.9 ns, 13 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns, 1.6 ns
高度 1.6 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
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0ZXMHC6A07T8TA
型号:ZXMHC6A07T8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
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1000+: | ¥5.560936 |
2000+: | ¥5.481494 |
5000+: | ¥5.084285 |
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