QH8K26TR
库存 ：1835
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.841261 | ￥13.84 |
| 10 | ￥12.350663 | ￥123.51 |
| 100 | ￥9.630323 | ￥963.03 |
| 500 | ￥7.955265 | ￥3977.63 |
| 1000 | ￥6.280472 | ￥6280.47 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 2.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QH8K26
单位重量 10 mg
QH8K26TR 同类别型号
注
QH8K26TR
型号：QH8K26TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1835 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.841261 |
| 10+： | ￥12.350663 |
| 100+： | ￥9.630323 |
| 500+： | ￥7.955265 |
| 1000+： | ￥6.280472 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.84