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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 160 A
漏源电阻 5.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 310 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 150 ns
正向跨导(Min) 77 S
上升时间 160 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP001515966
单位重量 6 g
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0AUIRFP1405
型号:AUIRFP1405
品牌:INFINEON
供货:锐单
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