DMTH6016LSDQ-13
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMTH6016LSDQ-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥2.77433 | ￥6935.82 |
| 5000 | ￥2.642256 | ￥13211.28 |
| 12500 | ￥2.520264 | ￥31503.30 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 7.6 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 7 ns
上升时间 5.2 ns, 5.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 13 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns, 3.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
DMTH6016LSDQ-13 同类别型号
注
DMTH6016LSDQ-13
型号：DMTH6016LSDQ-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥2.77433 |
| 5000+： | ￥2.642256 |
| 12500+： | ￥2.520264 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00