ZXMP6A18DN8TA
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- 制造商编号：
- ZXMP6A18DN8TA
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 500 | ￥6.457527 | ￥3228.76 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.8 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 23 ns
正向跨导（Min） 8.7 S
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 4.6 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
ZXMP6A18DN8TA 同类别型号
注
ZXMP6A18DN8TA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ZXMP6A18DN8TA
数据手册PDF。
ZXMP6A18DN8TA
型号：ZXMP6A18DN8TA
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 500+： | ￥6.457527 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00