货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.20522 | ¥14.21 |
10 | ¥11.600929 | ¥116.01 |
100 | ¥9.020315 | ¥902.03 |
500 | ¥7.645649 | ¥3822.82 |
1000 | ¥6.228242 | ¥6228.24 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 7.6 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 7 ns
上升时间 5.2 ns, 5.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 13 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns, 3.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMTH6016LSDQ-13
型号:DMTH6016LSDQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.20522 |
10+: | ¥11.600929 |
100+: | ¥9.020315 |
500+: | ¥7.645649 |
1000+: | ¥6.228242 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.21