
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥119.861047 | ¥119.86 |
| 10 | ¥108.259451 | ¥1082.59 |
| 100 | ¥89.633256 | ¥8963.33 |
| 500 | ¥78.051551 | ¥39025.78 |
| 1000 | ¥67.980439 | ¥67980.44 |
| 2000 | ¥65.681601 | ¥131363.20 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 31.2 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 118 nC
耗散功率 277.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP65R110CFDA SP000895234
单位重量 2 g
购物车
0IPP65R110CFDAAKSA1
型号:IPP65R110CFDAAKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥119.861047 |
| 10+: | ¥108.259451 |
| 100+: | ¥89.633256 |
| 500+: | ¥78.051551 |
| 1000+: | ¥67.980439 |
| 2000+: | ¥65.681601 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥119.86