DMTH6016LSDQ-13
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- 制造商编号：
- DMTH6016LSDQ-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
- 渠道：
- digikey
库存 ：1363
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.547946 | ￥25.55 |
| 10 | ￥16.200763 | ￥162.01 |
| 100 | ￥10.860172 | ￥1086.02 |
| 500 | ￥8.566975 | ￥4283.49 |
| 1000 | ￥7.829298 | ￥7829.30 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 7.6 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 7 ns
上升时间 5.2 ns, 5.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 13 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns, 3.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
DMTH6016LSDQ-13 同类别型号
注
DMTH6016LSDQ-13
型号：DMTH6016LSDQ-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：1363 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥25.547946 |
| 10+： | ￥16.200763 |
| 100+： | ￥10.860172 |
| 500+： | ￥8.566975 |
| 1000+： | ￥7.829298 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.55