STGB4M65DF2
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥6.229635 | ￥12459.27 |
| 5000 | ￥5.663303 | ￥28316.51 |
| 10000 | ￥5.40192 | ￥54019.20 |
| 25000 | ￥5.227665 | ￥130691.63 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STGB4M65DF2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
包装
Tape & Reel (TR)
系列
M
零件状态
Active
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
8A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
16A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.1V @ 15V, 4A
功率 - 最大值
68W
开关能量
40µJ (on), 136µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
15.2nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/86ns
测试条件
400V, 4A, 47Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
133ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
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注
STGB4M65DF2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、STGB4M65DF2
数据手册PDF。
STGB4M65DF2
型号：STGB4M65DF2
品牌：ST
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥6.229635 |
| 5000+： | ￥5.663303 |
| 10000+： | ￥5.40192 |
| 25000+： | ￥5.227665 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00