
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥154.358189 | ¥154.36 |
| 30 | ¥123.262128 | ¥3697.86 |
| 120 | ¥110.286861 | ¥13234.42 |
| 510 | ¥97.312053 | ¥49629.15 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 210 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 320 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 9 S
上升时间 30 ns
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH20N65X
型号:IXTH20N65X
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥154.358189 |
| 30+: | ¥123.262128 |
| 120+: | ¥110.286861 |
| 510+: | ¥97.312053 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥154.36