STS8DN3LLH5
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.611535 | ￥22.61 |
| 10 | ￥20.2886 | ￥202.89 |
| 100 | ￥16.307489 | ￥1630.75 |
| 500 | ￥13.398385 | ￥6699.19 |
| 1000 | ￥12.180326 | ￥12180.33 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STS8DN3LLH5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
STripFET™ V
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
19mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
5.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
724pF @ 25V
功率 - 最大值
2.7W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
STS8DN3LLH5 同类别型号
注
STS8DN3LLH5品牌厂家：ST
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
STS8DN3LLH5
型号：STS8DN3LLH5
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.611535 |
| 10+： | ￥20.2886 |
| 100+： | ￥16.307489 |
| 500+： | ￥13.398385 |
| 1000+： | ￥12.180326 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥22.61