搜索

FDD3510H

ON(安森美)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
FDD3510H
制造商:
ON(安森美)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:2500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2500 6.568213 16420.53

规格参数

属性
参数值

制造商型号

FDD3510H

制造商

ON(安森美)

商品描述

MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

包装

Tape & Reel (TR) Alternate Packaging

系列

PowerTrench®

零件状态

Active

FET 类型

N and P-Channel, Common Drain

FET 功能

Logic Level Gate

漏源电压(Vdss)

80V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

4.3A, 2.8A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

80mOhm @ 4.3A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

800pF @ 40V

功率 - 最大值

1.3W

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/外壳

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

供应商器件封装

TO-252-4L

FDD3510H 相关产品

FDD3510H品牌厂家:ON ,所属分类: 射频晶体管 ,可在锐单商城现货采购FDD3510H、查询FDD3510H代理商; FDD3510H价格批发咨询客服;这里拥有 FDD3510H中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到FDD3510H 替代型号 、FDD3510H 数据手册PDF

购物车

FDD3510H

锐单logo

型号:FDD3510H

品牌:ON

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

2500+: ¥6.568213

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00