SIZF918DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZF918DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：6000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 6000 | ￥7.37284 | ￥44237.04 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, NPN
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A, 60 A
漏源电阻 6.8 mOhms, 2.7 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V, 1 V
栅极电荷 14.6 nC, 37 nC
耗散功率 26.6 W, 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 53 S, 87 S
上升时间 45 ns, 55 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 17 ns, 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
SIZF918DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZF918DT-T1-GE3
型号：SIZF918DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 6000+： | ￥7.37284 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00