货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥76.32795 | ¥76.33 |
10 | ¥65.406286 | ¥654.06 |
100 | ¥54.503541 | ¥5450.35 |
500 | ¥48.091266 | ¥24045.63 |
1000 | ¥43.282169 | ¥43282.17 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 93 nC
耗散功率 540 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 36 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH36N50P
型号:IXFH36N50P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥76.32795 |
10+: | ¥65.406286 |
100+: | ¥54.503541 |
500+: | ¥48.091266 |
1000+: | ¥43.282169 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥76.33